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Infineon Technologies IRFB4110GPBF
| Artikelnummer: | IRFB4110GPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IRFB4110GPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFB4110GPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V Verlustleistung (max) 370W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) Grundproduktnummer IRFB4110 IRFB4110GPBF Einzelheiten PDF [English] IRFB4110GPBF PDF - EN.pdf -
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